赵正平 毕业于清华大学无线电电子学系。毕业后在河北井陉县电讯器材厂任二极管车间主任、厂期间员。1979年-1982年在南京工学院电子工程系半导体物理与器件专科攻读硕士磋商生。毕业后在信息产业部电子第十三磋商所责任，历任课题组长、磋商室副主任、主任、足下科研的副长处、长处，为磋商员级高等工程师。赵正平多年来一直从事砷化镓集成电路与微米、钠米的期间磋商，是该范围的巨匠和学术带头东说念主。科研效果显贵，获国度科技越过奖二、三等奖各一次，部科技越过奖一、二、三等奖六次，1993年赢得政府特贴巨匠名称，1994年获国度中后生巨匠名称巨乳 女優，2000年聘为国度863信息范围巨匠委的巨匠。2002年运转在中国电子科技集团公司责任，历任党构成员兼总司理助理、科技委任副主任、党构成员兼副总司理。2006年，被科技部聘为"核高基"国度科技紧要专项扩充有筹备编制巨匠组巨匠，2008年退休。此外他还曾兼任总装备部军用微电子专科构成员；卫星有用载荷及应用期间专科构成员；中国半导体行业协会副理事长、中国半导体分立器件理事长、中国微米纳米期间学会付理事长；西安电子科技大学教育、博士生导师；清华大学电子工程系客座教育、副博导，河北工业大学教育、博士生导师。

1947年，赵正平生于镇江，父母均在江苏医学院（南京医科大学前身）担任教研组主任、教育，还曾是同班同学，学习获利分列班级前两名。父亲曾公派留学英国，1957年加入共产党。1952年，他五岁半上镇江敏成小学（说念署街小学），四年齿加入少先队。1957年江苏医学院搬迁至南京，五年齿时随父母前去，就读有名的南京力学小学。由于条款后天不良，他德智体全面发展，屡获三好学生奖状，初中保送至名师集中的南京十中（金陵中学），高中又径直考上十中。

清华之梦，空想成真

儿时，赵正平所居住的苏医大院有一东说念主考上清华大学，成为大院内的好意思谈佳话，当听到父母评述时，“清华大学”四字也在他幼小的心灵深处播下种子，从此他萌发了向往之情。高考前，十中的大会堂里挂满了各大学的先容，清华大学的“清华园，红色工程师的摇篮”这一响亮标语颤动东说念主心，他暗下决心报考。当晚，恬逸宜东说念主的清华园神奇地进入他的梦幻：活水淙淙，荷叶田田，青青弥望。1964年秋，他终于圆梦清华大学，成为无零5班电真空期间专科的别称学生。入学那天，转过旧水利馆，前去9号楼的路上，半年前的梦幻竟跃然纸上展当今目下：素秋新霁，林水翳然。行走其间，他心旷神怡。

清华教育为国育才，荧惑学生好学励志。用功的学习生计运转后，对赵正平影响最深的是系科研标杆、志大才疏的典范查良镇学长，那时他已研制出真空质谱议，又是新中国首批少先队员。榜样作用活天真现，胜于说教。查良镇的钻研精神激发鞭策着赵正平，他愉快在科研上有所竖立、有一番四肢。夏夜，老藏书楼隔水而望，翠色和烟。拾级入馆，大门高敞，明窗映碧，桌几整洁，邺架杰作。学民风氛舒服骚然，他和同学们心致使远，竿头日进。在时不我待的日子里，藏书楼就怕能占得座位，好在系馆里亦能寻得稳健场所。他也更多在寝室埋头苦读，八名室友围坐在小桌旁，时针滑向夜分……

在清华藏书楼和徐永廷的合影

表面实践，技艺为先

时任清华大学校长蒋南翔指出，学校不提供“干粮”、“面包”，而是训诫学生疏析处罚问题的“猎枪”、“鱼秆”等用具、技艺。在赵正平眼中“树德树东说念主”的“树东说念主”扶助技艺论，树德则包括怜恤律己，为东说念主师表。马克念念主义指明，东说念主类历史是从势必王国走向目田王国的历史。他还学习毛主席的“实践论”、“矛盾论”，长远相识“实践出真知”、“抓主要矛盾”等基本旨趣。

在南京十中时期，赵正平面临费劲作业，深加招揽，交融领路，获利一直拔尖。到大学阶段，他更善于收拢实质，勤念念磨研，连续总结技艺，将常识转换为我方的说明。在高等数学课堂上他一边记载授课内容，一边综合教养念念路。每章节内容、题型、解题念念路各有主次，他讲求加以总结归纳：高中数学常识多是线性问题，而大学数学则多为非线性问题；导数是变化率，积分是不轨则的弧线面积……他灵行径脑，钩千里索隐，第一学期高等数学考试获利达100分。他还在英文体习中欺诈轮流学习法、轮回记挂法。此外，他稳健实践基础课，在文革“复课闹立异”期间积极参加真空实验，初次明察扩散泵、机械泵，尽心绘图电真空剖解图，打下了工程制图的坚实基础。

体育考验，训诫意志

清华一向高度稳健体育领会，强调其磨练意志品性的作用。赵正平从小宠爱体育，初三因跳高隆起，成为三级领会员。中学他擅长排球，是南京十中排球领会员。在清华，他到手考上入校排球队成为副攻手。往日，他地点校代表队效仿日本女排西席大松博文的妖魔锻真金不怕火，平时好学苦练，时常在锻真金不怕火形势摸爬滚打，摩肩相继，苦练小心期间。他感到，体育考验之后头脑格外暴露，学习干劲更大、效率更高。清华代表队还赴天津参加校际比赛，那年代表队同学的考试平均获利达88分，可谓品学兼优。

清华男排1968年在西校门

训诫情操，清朗襟怀

大学恰是建造“目田王国”的阶段，清华荧惑学生组织参加各式集体行径。四肢班长，赵正平积极参加班级各项行径。1964年国庆节，他和同学们总共参加天安门游行行径。夜幕来临，华灯初上，在金水桥下，同学们轻歌曼舞，情怀滂沱，酣醉在畴昔开采故国的憧憬之中。那年金秋时节，他和班里同学总共登攀长城。他们从清华园站乘坐小火车抵达八达岭。山川满目，烽燧遥悬，落照衔云，他和同学们感受到故国江山壮好意思，爱国花样油然则升。暑假，在“学兵“行径中他随校代表队在颐和园参加水兵连，还在炊事班兼任司务长负责伙食。学校生活丰富多彩，在其中他训诫情操，清朗襟怀，得到了更多磨真金不怕火，清华无线电系的学生期间留住了不少好意思好记挂。冬日黎明，他步出九号楼寝室，趁着赏心悦目背诵英文，晨光瞳瞳，霞光万说念，淡烟叠翠，他的观点投向了辽阔。

畴昔的科研说念路既需要在实践中欺诈技艺论，深中肯綮，主理要津，抓主要矛盾，又需要专心致志，心无旁骛，久久为功，将个东说念主发展与国度需要精致联接起来，为故国的科研功绩作念出孝顺。

64年无05班在八达岭

工场考验巨乳 女優，心无旁骛

1970年，赵正平毕业，被分派到河北省井陉县赵庄岭公社小作村隔邻的井陉县电讯器材厂——深处偏僻山沟的县办军工三线小厂。他背着柳条包、铺盖卷前去报到，成为制造电板车间的工东说念主。

工场设有电板车间和二极管车间，他在电板车间负责配电解液。清华东说念主具有自立束缚的精神，毕业时同学们荧惑互勉“好好干”。他积极作念好本员责任同期和敦厚傅总共搞电板工艺调动。进厂一年后，在原锗二极管车间搬迁到“二讯厂”后，厂里就把新建二极管的重任交给他，任命他为硅二极管筹备小组组长。 筹建二极管线需要挥发金属的挥发台，于是他前去140里除外的石家庄河北半导体磋商所（信息产业部第十三磋商所）；该所是井陉县电讯厂的援建单元，乞助了一台仓库中废旧的挥发台。依据工艺要求他对挥发台的结构从头瞎想，将蓝本贫乏的金属封罩改为玻璃钟罩，将新瞎想绘图图纸，请工程师父加工，对已淘汰的旧挥发台进行了透顶更正，并和师父总共精心清洗扩散泵、机械泵，加入新油从头利用，变废为宝。为此，他还带队亲赴上海，在上无十七厂学习二极督工艺，得到忘我的大肆匡助。1973年，他带领小组自建厂房，好处扩散炉、氧化炉、去离子水和测试仪器等设备，铺设硅开关二极管线。新的硅二极管车间建成后，他担任二极管车间主任，负责分娩和处罚各式期间难题。举例二极管的正向压降总出现波动，他发现是因为硼扩散后在硅名义酿成了一层硼硅玻璃，若后续的二次氧化不充分，其腐蚀后易酿成残留。找到要津问题后，他立即加强了要津工艺收敛。这期间他还自学半导体，购买格鲁夫的《名义物理》等，探索期间问题。二极管车间的产量稳步上涨，到1976年遇上基于分立器件的台式计较机发展机遇，产量已达百万，净利润达30万元。1978年他光荣地加入了中国共产党，完毕了在清华大学运转的志愿。

南工生计，科研起原

然则，跟着集成电路的兴起，工场的二极管销路阻断，资金匮乏，无力更新换代。1978年头清华无线电系给工场致函，但愿赵正平返校回炉再造，其时他身兼全厂期间员、车间主任，是期间主干，未获工场原意。同庚秋，磋商生考试轨制复原。但愿重燃，他下定决心，斗胆尝试。经由首考一刹弯曲和一年时辰的准备，1979年他再次步入科场，专科考试第一题触及有用质料的想法，他用固态电子能带的偏微分方程一挥而就；玄学第一题是列宁对于物资的界说，他又一字不差。他充分说明基础浑朴、自学技艺强、善抓要点的上风，一举考入南京工学院电子工程系（6系），攻读半导体物理与器件专科。全县17东说念主考试，仅登科他一东说念主。

南工读研成为他科研生计的起原，训诫出过硬的科研技艺。第一，科研外语综合水平得到全面进步。他收拢科技英语中一词多义、句型套用关联的本性，并在大都阅读文件中实践，强化了阅读文件的手段——阅读文件如释重担，打牢了科研常识基础。第二，科研选题技艺连续提高。其时，南工半导体教研室正磋商硅MIS太阳电板，他弃取了MIS太阳电板中的超薄层介质膜四肢磋商课题，随后深入阅读磋商上百篇联系文件，记载了五大本札记。弃取椭偏仪测量技艺可同期赢得硅上介质膜的膜厚和折射率，但当介质厚度低于50埃后，不同厚度的薄膜中决定薄膜折射率的椭偏仪的ᴪ参数相重合，无法差别超薄介质膜的折射率。其时国外上有些磋商者将这一层超薄介质设定为二氧化硅，由此将薄膜的折射率设定为1.47，然后依据椭偏仪测到的δ参数来得到硅上超薄介质膜的膜厚。国外上也有些磋商者通过各式名义分析技艺提倡Si名义上超薄氧化层不同的结构模子。他弃取低温热氧化技艺制备了多个不同厚度的硅上超薄介质膜样品，到南化公司弃取新引进的名义分析设备对每个样品进行俄歇谱和XPS谱的综合分析，发现这层物资是由硅、氧化亚硅、一氧化硅、二氧化硅等构成的搀杂体SiOX，其X值随厚度而变化，为此，他依据分析已矣构建了超薄介质的SiOx的综合模子。计较出X值，据此查表得出SiOX折射率。将椭偏仪测到的δ参数和SiOX折射率代入他用计较机话语编好的椭偏仪测量函数公式，通过计较机即可得到更接近试验的测量厚度。该磋商效果发表在“南工学报”和“半导体学报”上，并荣获电子部科技越过二等奖。通过在南工的读研，他意志到，一定要选小而深、国外上存在争论、尚无定论的难题，才能有所创新。他的硕士论文获评优秀论文，毕业后他被分派到了位于石家庄的电子第十三磋商所。

超薄氧化层测厚期间获奖文凭

深中肯綮，持续攻关

电子第十三磋商所是我国四机部最早的半导体磋商所，亦然我国首个晶体管的共同攻关单元和首块实用化集成电路发明地。他入所时赶巧研制第二代半导体GaAs功率器件处于攻关景色的最不毛时期，他四肢十三所文革后的首位磋商生，被安排在第五磋商室——挑战最大、最吃紧的前沿，以等闲期间员身份，在502组从事光刻工艺。十三所军功赫赫的工程师都在一线，小组中十几东说念主全是拔尖东说念主才，他在此环境下脱颖而出。

其时，十三所已攻下微波X波段100毫瓦、500毫瓦等GaAs中、小功率器件，然则当器件的总栅宽按比例增致瓦级器件所需总栅宽时，流片出的器件增益为零分贝，对此久攻不下。面临难题，赵正平在作念好光刻工艺的同期也积极参与攻关瞎想责任，弃取抓主要矛盾的念念路，分析增益为零的原因。通过GaAs器件等效电路模子的分析，当加多器件总栅宽较大后，在此器件物理模子中弃取空气桥面接地的电感这一寄生参数显贵加多，导致增益大幅下落。凡事“预则立，不预则废”。在获知将分派至十三所责任时，他已有备而来，将微波电路方面竹素从南工的无线电系（4系）的同学借来阅读，包括清华无线电系高保薪教育的《微带电路》等。他还写信和搞微波的4系的同学，咨野心题，考据分析。正在此时，4系的李嗣范教育从日本带追念X波段瓦级的器件，得知友信后，他以为机会贵重，于是用五支好处的X波段500毫瓦管子，交换到其中一支。其时国外上公开发表文件上报说念：X波段的GaAs功率的多指器件的单指栅宽弗成卓绝125微米，一朝卓绝，会导致传输的信号大幅衰减。而从日本引进的瓦级器件的单指栅宽禁锢了这一收敛，给他新的启示。他再次计较了单指栅宽的信号的传输损耗和寄生接地电感的传输损耗，量度后得出单指栅宽、总栅宽和面接地的尺寸的最优瞎想有筹备。课题组长李松法磋商员按照新有筹备从头瞎想制作领土，经全组同道的用功第一次投片即获顺利，器件的增益上涨到4-5dB！旗开顺利，难题处罚，该课题组的X波段GaAs瓦级功率器款式件荣获电子部科技越过一等奖，他在十三所脱颖而出，所里将更重的任务交给他。

1985年，难题又相继而至。国度“六五”攻关任务要求制作X波段砷化镓的微波功率单片集成电路（MMIC），即在GaAs衬底材料上制备包含功率器件和匹配电路的单片集成的两级功率放大器，用于要点工程。有位老同道攻关三年，制成了放大器，但中心频率总不厚实、带宽较窄，久攻不下，而离完成任务已是临了的一年了。为此，室里有益成立了新的攻关小组504组，赵正平担任课题组长。他最初阅读文件，说明上风，详查国外上GaAs单片功率集成电路的联系文件，已有著作报说念，当匹配电路的GaAs微带之间的间距小于3倍w/h时，互相之间会产生交扰效应，会影响电路的性能。经CAD计较模拟原瞎想的放大器电路性能往往，而分析原单片电路的瞎想领土时，他发现匹配电路的两个微带间距太近（仅有1.5倍w/h），判断其所产生的交扰效应是影响频苟且能的要津。他从头瞎想了电路的领土，将匹配电路由微带改成集总参数的新有筹备，由电感和电容构成匹配电路，与微带有筹备比拟较既安靖了电路的尺寸又便于拉开匹配元件的距离。在全组的用功，包含原瞎想的老邓磋商员的全力参与，新版一次投片顺利，频率厚实，且带宽加多了5倍。据此又完成了两级MMIC的投片，经用户使用，满足整隐私求。1985年往日完毕定型刚硬并按期完成任务，1986年此国度的六五攻关任务——砷化镓微波单片功率集成电路放大器获电子部科技越过一等奖、国度科技越过三等奖。

上世纪80年代中期，国内微波通讯闹热发展。504小组对准其时微波通讯急需的GaAs微波回荡管进行新的攻关，原制作的空气桥面接地结构的器件用于微波回荡管时增益偏低，仅有五六个分贝，责任频率总在10GHz傍边徜徉。为了攻下18GHz的频率，何如提高增益，问题在哪？他再次大都查阅国外文件。在国外MTT会上，报说念了弃取一种源区穿孔期间，将GaAs功率MMIC的频率一下提高至28GHz。而能否从GaAs多栅器件的源区的空气桥面接地结构改为源区径直接地的结构，将会使接地寄生电感更小？他决定带领小组的工程师自行研制一套源区穿孔工艺。经计较，新结构将使器件的寄生电感大幅下落，且将芯片约减薄至20微米，在从芯片后面镀上一层厚金，更易于散热，使器件责任结温进一步缩短。1987年，高频高增益砷化镓功率器件制成，责任频率上涨至18GHz，在12GHz下的功率增益达10-11分贝。经微波通讯的用户使用，响应很好。该器件赢得电子部科技越过二等奖，并得到大都应用。

GaAs 功率MMIC获奖文凭

瀽瓴高屋，勇担重任

1986年，赵正平先后担任十三所第五磋商室副主任、主任。1987年后又提为副长处，运转足下全所科研。跟着卫星通讯的发展，国外上已完毕了C波段的星用真空行波管功率放大器被星用GaAs固态放大器所替代。我国发展通讯卫星也急需用于转发器中的中枢部件GaAs固态放大器。十三所一直磋商砷化镓大功率器件（固态放大器之中枢），国度重恣意味紧要发展机会，在毕长处的带领下他决心相连国度急需的任务，一个磋商所要发展必须急国度之所急，敢打硬仗。1991年5月29日上司下达了攻关任务，时辰热切，仅剩一年九个月，任务艰巨，是国内初次研发高可靠的星用GaAs固态放大器。大会战成立了“两师”系统，毕长处担任行政总诱骗，他担任副总诱骗兼总瞎想师，组织全所8个磋商室500东说念主伸开会战。最终星用固放的会战取得完胜。

面临全新课题、重重难关，他转换全所力量，集念念广益，都心合力，组织会战，禁锢了多项要津期间：以高可靠系列GaAs微波功率器件为主的微波放大链；微波GaAs大功率内匹配与结温精准测量期间；金属陶瓷大腔体封装期间；以高可靠Si双极静电感应功率开关管为主的一体化开关电源期间；抗浪涌电流的固态开关期间；星用的保障丝期间；薄壁金属多腔放大器外壳和星用一体化固放可靠性瞎想与工艺期间等。经由全所同道的一年零九个月的昼夜奋战，一体化的星用GaAs功率放大器研制顺利，完成了上卫星的达载任务，其国产化率达99%，使用性能优于引进产物，常期厚实可靠。为此赵正平荣立电子部个东说念主一等功，十三所该款式获国度科技越过二等奖、电子部一等奖。C波段的星用固态放大器的研制顺利始创了国产固态放大器的先河，十三所接续研制顺利了形势卫星、通讯卫星、导航卫星和载东说念主飞船等固态放大器和微波组件，连续鼓动高可靠GaAs微波组件的国产化程度。

GaAs一体化固态功率放大器获奖文凭

在神舟一号放射顺利会上

1993年，毕长处上调后，赵正平被任命为长处，四肢年青的长处，面临新的任务，他学习了“带领科学”，意志到任何事物发展均有其律例性、终点性，科研责任和管制责任介怀念念上是重迭的。带领十三所发展亦然一门科学，要掌持管制的律例性，当好所带领班子的班长。他在所带领班子中明确单干，并酿成A、B角，他非常尊重每位付长处，使他们一官半职，他和党委文告酿成共商大事的情势。他主要负责两件事，一是主理所发展的科研宗旨，二是带好所班子，对全所责任负总责。

1992年年头，微电子专科构成立，他成为首届国度级微电子专科构成员，进入国度计谋制定的巨匠层面。他将电子13所的发展和国度微电子的发展精致相联接。他提倡的发展GaAs微电子的建议被经受，并为后续系列的星用GaAs固态放大器和GaAs MMIC的大发展所考据。

给江泽民总文告讲述微电子预研效果

在所科研方朝上，他建立了GaAs功率器件与集成电路要点实验室，鼓动GaAs集成电路的发展，在所光电子范围鼓动发展了GaN兰光LED和瓦级的半导体激光器，同期他在发展微电子机械系统（MEMS）和新一代SiC、GaAs宽禁带半导体两个新范围作念出孝顺。上世纪80年代末到90年代初国外上运转发展Si基MEMS，他虐待发现这一“小机器，大四肢”的新的宗旨，是微电子两维工艺期间向三维工艺在微电子和微机械交叉范围的新发展。每年十三所都有“所控课题”，赵正平立即给谍报室下课题，指明业务宗旨，跟踪MEMS的发展。1995年，当国度运转稳健MEMS发展时，13地点微电子专科组中能提供厚厚一册国外MEMS发展良友，复旧了微电子专科组中MEMS范围发展。在谍报先行的条款下，在所里，他抽调精兵强将安排到所里一条四英寸晶圆的硅工艺线开展MEMS的预先磋商，拉开了十三所MEMS发展的序幕。为此，十三所、清华和北大成为我国发展MEMS的“朔方金三角”，十三所是中国微米纳米期间协会的成员单元，四肢发起东说念主之一，他出任微纳期间协会常务副理事长。

90年代后期国外上运转SiC、GaN为主的新一代宽禁带半导体功率器件的磋商，四肢微波功率器件的巨匠，他一直温顺这新一代半导体的发展动向，立即安排了所控谍报课题磋商，并在所里从事先瞻性磋商的要点实验室安排宽禁带半导体功率器件的预先磋商，研披发洋内首款GaN HEMT器件。1999年，赵正平就任国度973筹办的新器件巨匠组组长，他建议把在功率器件范围具有发展后劲的宽禁带半导体材料和器件写入《发展摘抄》。到中国电科责任后，他分担基础范围责任，他带领集团所属13所、55所、46所等研发力量，连结宇宙最优秀高校、中科院等磋商单元呈报并组织宽禁带半导体材料与器件的攻关，任973项指标首席巨匠，该攻关任务也极大鼓动了十三地点宽禁带半导体功率器件的新发展。

2001年江泽民总文告到电子13所调查

新世纪运转辖下电子所迎来改造的机遇，上司决定46个磋商所和所属企业组建集团公司，2001年9月中组部批了筹备组，赵正平是筹备组的成员之一，2002年中国电子科技集团公司成立。他历任中国电子科技集团公司的党构成员兼总司理助理、科技委任副主任、党构成员兼副总司理。中国电子科技集团公司是唯独具有23个元器件基础磋商所的电子集团，在国度发展电子基础方面具有缺点职守。新的责任岗亭使他能在更大的舞台上为国度发展献计献计。2000-2006年四肢863信息范围的巨匠参与了高端集成电路专项的发展计谋和项指标顶层管制，2003年四肢课题负责东说念主组织带领中国电科的48所攻克863的课题100nm离子注入机。2004年他在谋划会议上提倡元器件自主可控发展的建议，2005年将包含宽禁带半导体和半导体光电子等内容的“先进半导体”款式上报，后被纳入国度科技紧要专项的“核高基”（中枢器件、高端芯片、基础软件）款式之中。2006年，他被科技部聘为"核高基"和“极大范围集成电路工艺和设备”两个国度科技紧要专项扩充有筹备编制巨匠组巨匠，参加紧要专项的有筹备制定。2008年8月，“核高基" 紧要专项郑重启动时，他于5月份刚退休。“为故国健康责任五十年”的清华精神激发他接续责任在他所宠爱的半导体功绩上。他在“核高基" 的宽禁带SiC、GaN微波功率器件课题中任总瞎想师，接续组织带领上述973款式酿成的国内上风团队，将预先磋商效果进步到工程化产物。2012年，又牵头呈报了新的973款式，任首席巨匠接续组织带领高频高速的GaN集成电路的前瞻性期间发展，2016年全面完成。他于今仍然是半导体行业协会的巨匠组的付组长，科技委电子范围巨匠，要点实验室学术委员会的付主任，快乐地为国度的半导体功绩孝顺贤慧。

赵正平健康地为故国责任五十年

访谈至此，咱们不仅深念念：是什么种植了赵正平教育累累的科研效果？为什么他总能主理宗旨，深中肯綮，让难题治丝而棼？一是他善于欺诈矛盾论，抓主要矛盾。他说，科研责任每遇不毛，必谋划键身分在起要津作用，能否找到它至关缺点，这恰是矛盾论的中枢。收拢问题的中枢，欺诈矛盾论，效力于要津点，围聚发力，处罚主要矛盾，其他问题就治丝而棼了。科研所的发展上要有计谋观点，要善于超前的寻求国度的需求，处罚国度需求即是中枢问题，即是磋商所发展的主要矛盾。二是他专心致志，心无旁骛。他强调，科研教育重在志存高远、尽心干与，一心一意追求东说念主生价值的完毕。容身于始终实践的专心致志、久久为功能收始终精一之功，最终完毕个东说念主逸想与国度需要的更好联接。

采访合影

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采访 | 陈文采、万军、乔元春

照相 | 部分图片由受访者提供

撰稿 | 万军